





防煙樓梯間及電梯前室余壓值規范
而《建筑防煙排煙系統技術規范》對防煙樓梯間及電梯前室余壓值進行了明確規范: 高層前室壓差控制器加壓送風應滿足走道→前室→樓梯間的壓力呈遞增分布,余壓值應符合下列要求: 1、前室、合用前室、消防電梯前室、封閉避難層(間)與走道之間的壓差應為 25-30Pa; 2、防煙樓梯間、防煙電梯井與走道之間的壓差應為 40-50Pa。 如何來控制余壓值的保持在標準范圍呢?

高精度高層前室壓差控制器完成側氣囊操縱
在安全性智能管理系統中,高精度高層前室壓差控制器完成側氣囊操縱。空氣壓縮機安全性智能管理系統也是普遍應用傳感器的領域。空氣壓縮機側面氣囊的操縱有加速度傳感器和高層前室壓差控制器二種計劃方案。性數據信息反映,與加速度傳感器相比,高層前室壓差控制器在檢驗側面撞擊的速度層面,比加速度傳感器快了差不多3倍,而錯誤操作的幾率則更小.值得一提的是,小型化傳感器利用微機械加工技術將微米級的敏感元件、信號調理器、數據處理設備集成封裝在另一個芯片上。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜
五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環境下使用的化合物半導體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術將碳原子注入單晶硅內,便可獲得的立方體結構的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結構不同,可表示為β-SiC。β表示不同形態的晶體結構。用離子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化學及電學特性優異,表現出高強度、大剛度、內部殘余應力很低、化學惰性極強、較寬的禁帶寬度(近乎硅的1-2倍)及較高的壓阻系數的特性;因此,SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射,并具有穩定的電學性質。非常適合在高溫、惡劣環境下工作的微機電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高,硬度大及加工難度大,所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入,化學氣相淀積(VCD)等技術,將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底(SiCOI)上,供設計者選用。例如航空發動機、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量,便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜,作為感壓元件(膜片),并制成高溫壓力微傳感器,實現上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達到600℃以上。



